无结场效应晶体管及其形成方法

摘要

本发明提供一种无结场效应晶体管及其形成方法，包括：提供具有第一区域以及第二区域的衬底；形成第一和第二掺杂区；形成第一和第二栅极结构；去除部分衬底以形成第一和第二开口；在所述开口中填充含有金属的材料层，以在所述第一和第二开口中形成源漏区。本发明还提供一种无结场效应晶体管，包括：衬底；第一和第二掺杂区；第一和第二栅极结构；第一和第二开口，所述第一和第二开口中具有作为源漏区的含有金属的材料层。本发明的有益效果自在于，源漏区与导电插塞之间的接触电阻较小且开启电流增加，提高了无结场效应晶体管的性能；简化了掺杂工艺的难度并在一定程度上减少掺杂区中可能发生的界面散射问题的程度。

主权项

一种无结场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域以及第二区域；对所述第一区域的衬底进行第一掺杂以形成第一掺杂区，对所述第二区域的衬底进行第二掺杂以形成第二掺杂区，所述第一掺杂与所述第二掺杂类型不同；在衬底上形成第一栅极结构以及第二栅极结构，使所述第一栅极结构与所述第一掺杂区的位置相对应，并使第二栅极结构与所述第二掺杂区的位置相对应；去除位于所述第一和第二栅极结构之间的衬底以形成第一开口，并分别在第一栅极结构远离第二栅极结构一侧的衬底中以及第二栅极结构远离第一栅极结构一侧的衬底中形成第二开口；在所述第一开口和第二开口中填充含有金属的材料层，以在所述第一开口中形成共漏区并在所述第二开口中形成源区，或者，在所述第一开口中形成共源区并在所述第二开口中形成漏区。