用于无线应用之高功率半导体装置及用以形成高功率半导体装置之方法

摘要

功率半导体装置，其用于无线应用，在功率大于5瓦特下操作，其包含：一半导体基板，该半导体基板包括该高功率半导体装置的一主动区域；在该半导体基板上形成的提供与该高功率半导体装置之该主动区域之接触的接触区；覆盖该半导体基板的一部分而形成的一电介质层；用以将一外部的连接提供给该高功率半导体装置的一引线；及在该半导体基板上形成的且在该高功率半导体装置之该主动区域与该引线之间的一阻抗匹配网路。该阻抗匹配网路包括导线，该等导线在该电介质层上形成。该等导线被耦接至该等接触区以提供与该主动区域之该等接触区之高功率连接，且具有用于阻抗匹配之一预定的电感。

主权项

一种高功率半导体装置，其用于无线应用，在功率大于5瓦特下操作，其包含：包含一半导体材料之一半导体基板，该半导体基板包括该高功率半导体装置的一作动区域；接触区，其在该半导体基板上形成，提供与该高功率半导体装置之该作动区域之接触；一电介质层，其于该半导体基板的一部分上方形成；一引线，其用以将一外部的连接提供给该高功率半导体装置；一阻抗匹配网路，其在该半导体基板上形成，在该高功率半导体装置之该作动区域与该引线之间，其中该阻抗匹配网路包括形成于该电介质层上且耦接至该等接触区的导线，以提供与该作动区域之该等接触区之高功率连接，该等导线具有用于阻抗匹配之一预定电感。