形成包含由一共同底材承载之两个或以上已处理半导体构造之黏附半导体构造之方法及应用此等方法所形成之半导体构造

摘要

半导体装置之方法包括提供一底材，该底材包含在一层电气绝缘材料上之一层半导体材料。在该层半导体材料之第一面形成一第一金属化层。形成多个晶圆间透通连结使之至少部分穿过该底材。在与该层半导体材料之第一面相反之该层半导体材料之第二面形成一第二金属化层。一电气路径，其穿过该第一金属化层、该底材及该第二金属化层，提供于由该底材承载于该层半导体材料之第一面之一第一已处理半导体构造，以及由该底材承载于该层半导体材料之第一面之一第二已处理半导体构造间。应用此等方法所制作之半导体构造。

主权项

一种形成一半导体装置之方法，其包括：提供一底材，该底材包括在一层电气绝缘材料上之一层半导体材料；在该底材上与该层电气绝缘材料相反之该层半导体材料之一第一面形成包含复数个导电部件之一第一金属化层；形成复数个晶圆间透通连结使之至少部分穿过该底材，且形成该些晶圆间透通连结中至少一个晶圆间透通连结，使之穿过该金属化层及该层半导体材料；在该底材上与该层半导体材料之第一面相反之该层半导体材料之一第二面，形成包含复数个导电部件之一第二金属化层；以及在由该底材承载于该层半导体材料之第一面之一第一已处理半导体构造以及由该底材承载于该层半导体材料之第一面之一第二已处理半导体构造间，提供连续穿过该第一金属化层、该底材，及该第二金属化层之一电气路径。