发明名称 氮化镓单晶的制备方法
摘要 本发明实施例公开了一种氮化镓单晶的制备方法,在异质衬底上形成氮化镓厚膜之前,通过具有多个暴露异质衬底的岛状部分的钝化层,在其岛状部分上生长出氮化镓的晶柱,从而形成柱状网络的应力屈服层,在此应力屈服层上继续生长氮化镓厚膜。由于柱状网络的应力屈服层具有相对弱的机械强度,生长在异质衬底上的氮化镓结构在冷却过程中,在热应力的作用下,会在应力屈服层裂开,从而使氮化镓厚膜从异质衬底上剥离。通过冷却过程的热应力,而无需其他工艺手段就能实现氮化镓厚膜的剥离,制造成本低,易于实现。
申请公布号 CN102220640B 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201110153779.7 申请日期 2011.06.09
申请人 青岛铝镓光电半导体有限公司 发明人 刘良宏;庄德津
分类号 C30B29/40(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I 主分类号 C30B29/40(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明;王宝筠
主权项 一种氮化镓单晶的制备方法,其特征在于,包括:提供异质衬底;对所述异质衬底进行氮化;在所述异质衬底上形成钝化层,所述钝化层具有多个暴露异质衬底的岛状部分;在所述岛状部分上生长氮化镓晶柱,所述氮化镓晶柱底部与所述异质衬底表面直接接触,所述氮化镓晶柱高于所述钝化层,以形成柱状网络的应力屈服层;在所述氮化镓晶柱的上部形成氮化镓薄膜,以使氮化镓晶柱的上部合并;在所述氮化镓薄膜上生长氮化镓厚膜;进行冷却,在热应力作用下应力屈服层裂开,形成自剥离的氮化镓厚膜。
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