发明名称 |
异质接合双极性电晶体 |
摘要 |
低成本化与电气特性及可靠性之劣化抑制。异质接合双极性电晶体(10A),具有:集极层(16),由以GaAs为主成分之半导体构成;第1基极层(18A),与集极层(16)异质接合,由以与集极层(16)之主成分晶格失配之材料为主成分之半导体构成,且系导入失配差排之临界膜厚未满之膜厚;第2基极层(18b),与第1基极层(18A)接合,由与集极层(16)之主成分晶格匹配之材料为主成分之半导体构成;以及射极层(20),与第2基极层(18b)异质接合。
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申请公布号 |
TWI517381 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW103110274 |
申请日期 |
2014.03.19 |
申请人 |
村田制作所股份有限公司 |
发明人 |
大部功;梅本康成;黑川敦 |
分类号 |
H01L29/73(2006.01);H01L29/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/73(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
主权项 |
一种异质接合双极性电晶体,具有:集极层,由以GaAs为主成分之半导体构成;第1基极层,与该集极层异质接合,由以与该集极层之主成分晶格失配之材料为主成分之半导体构成,且系导入失配差排之临界膜厚未满之膜厚;第2基极层,与该第1基极层接合,由与该集极层之主成分晶格匹配之材料为主成分之半导体构成;以及射极层,与该第2基极层异质接合。
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地址 |
日本 |