发明名称 异质接合双极性电晶体
摘要 低成本化与电气特性及可靠性之劣化抑制。异质接合双极性电晶体(10A),具有:集极层(16),由以GaAs为主成分之半导体构成;第1基极层(18A),与集极层(16)异质接合,由以与集极层(16)之主成分晶格失配之材料为主成分之半导体构成,且系导入失配差排之临界膜厚未满之膜厚;第2基极层(18b),与第1基极层(18A)接合,由与集极层(16)之主成分晶格匹配之材料为主成分之半导体构成;以及射极层(20),与第2基极层(18b)异质接合。
申请公布号 TWI517381 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW103110274 申请日期 2014.03.19
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 大部功;梅本康成;黑川敦
分类号 H01L29/73(2006.01);H01L29/40(2006.01) 主分类号 H01L29/73(2006.01)
代理机构 代理人 阎启泰;林景郁
主权项 一种异质接合双极性电晶体,具有:集极层,由以GaAs为主成分之半导体构成;第1基极层,与该集极层异质接合,由以与该集极层之主成分晶格失配之材料为主成分之半导体构成,且系导入失配差排之临界膜厚未满之膜厚;第2基极层,与该第1基极层接合,由与该集极层之主成分晶格匹配之材料为主成分之半导体构成;以及射极层,与该第2基极层异质接合。
地址 日本