背侧照射型互补式金氧半导体影像感测器的制造方法

摘要

明提供一种背侧照射型互补式金氧半导体影像感测器的制造方法。上述背侧照射型互补式金氧半导体影像感测器的制造方法包括使用一前侧离子植入制程于一基板上方形成一光主动区和相邻于光主动区的一延伸光主动区。使用一背侧离子植入制程形成延伸光主动区。上述背侧照射型互补式金氧半导体影像感测器更包括位于基板背侧上的一雷射退火层。延伸光主动区有助于增加光子转换成电子的数量以改善量子效率。

主权项

一种背侧照射型互补式金氧半导体影像感测器的制造方法，包括下列步骤：使用一前侧离子植入制程，于一基板上方形成一光主动区；以及使用一背侧离子植入制程，形成相邻该光主动区的一延伸光主动区，其中该延伸光主动区将该光主动区的深度从2μm延伸至4μm，其中该延伸光主动区中从深度2μm至4μm的一最高掺杂密度大于该光主动区在深度2μm的一掺杂密度。