MOS晶体管的形成方法

摘要

一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面由下至上依次形成背栅极、背栅介质层、体区域、第一功能层和前栅介质层，所述第一功能层用于提高沟道区域中载流子的迁移速率；刻蚀所述前栅介质层和第一功能层，形成暴露出部分体区域的第一凹槽；沿第一凹槽对体区域进行离子注入，形成重掺杂区；在第一凹槽内填充金属层，形成与重掺杂区连接的插塞；在重掺杂区之间的前栅介质层表面由下至上依次形成第二功能层和前栅极，所述第二功能层用于降低沟道区域的漏电流。本发明MOS晶体管的形成方法能够调节所形成的MOS晶体管的阈值电压，提高了半导体器件中各个MOS晶体管的兼容性和匹配度，提高了所形成半导体器件的性能。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面由下至上依次形成背栅极、背栅介质层、体区域、第一功能层和前栅介质层，所述第一功能层用于提高沟道区域中载流子的迁移速率；刻蚀所述前栅介质层和第一功能层，形成暴露出部分体区域的第一凹槽；沿所述第一凹槽对所述体区域进行离子注入，形成重掺杂区；在所述第一凹槽内填充金属层，形成与重掺杂区连接的插塞；在重掺杂区之间的前栅介质层表面由下至上依次形成第二功能层和前栅极，所述第二功能层用于降低沟道区域的漏电流；其中，形成第二功能层和前栅极的工艺包括：形成覆盖部分体区域、前栅介质层和插塞的牺牲层；在所述牺牲层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，保留与替代前栅极对应的光刻胶层；以保留与替代前栅极对应的光刻胶层为掩模，刻蚀所述牺牲层，至暴露出部分体区域、前栅极介质层和插塞，形成替代前栅极；在所述替代前栅极两侧的体区域、前栅介质层和插塞上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与替代前栅极的上表面齐平；去除所述替代前栅极，形成底部为前栅介质层、侧壁为层间介质层的第二凹槽；在所述第二凹槽内由下至上依次形成第二功能层和前栅极；去除所述层间介质层。