一种微米尺度有机小分子单晶材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1-10nm。本发明方法在介电材料原位生成产物，单晶生长过程中晶粒不会受到污染或损坏，工艺简单而又易控制，具有一定的普适性；制得的微米尺度有机小分子单晶材料具有极好的晶体完整性、丰富的宏观形貌及一定分布范围的二维尺度等特性。

主权项

一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1‑10nm，所述有机半导体材料为并五苯，所述纳米薄膜的制备方法为真空蒸发镀膜法，所述真空蒸发镀膜的条件包括沉积速度为0.001‑0.01nm/s，真空度为1×10^‑5‑1×10^‑7mbar，沉积时介电材料所处的温度为20‑30℃，沉积时间为30‑300s，所述介电材料为能够耐受170℃且不变形的高分子聚合物或无机材料，所述退火的条件包括温度为60‑160℃和时间为20‑360min，所述利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长的方式包括：在载气流动或在无水无氧的密封条件下，让蒸发源蒸发得到的蒸汽与所述退火后的产物接触以使有机单晶纳米材料生长，所述蒸发源与所述有机半导体纳米薄膜的材质相同，所述气相生长的沉积速度为1‑10nm/s。