| 发明名称 | 器件晶片的评价方法 | ||
| 摘要 | 器件晶片的评价方法。本发明提供一种能够在不污染器件晶片的情况下评价去疵性的评价方法。器件晶片(11)在正面(11a)形成有多个器件(19)并且在内部形成有去疵层(23)，该器件晶片的评价方法中，朝向器件晶片的背面(11b)照射电磁波(M1)并且照射激励光(L)而生成过量载流子，根据反射后的电磁波(M2)的衰减时间来判断器件晶片中形成的去疵层的去疵性。 | ||
| 申请公布号 | CN105225980A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510349474.1 | 申请日期 | 2015.06.23 |
| 申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 介川直哉;原田晴司 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种器件晶片的评价方法，所述器件晶片在正面形成有多个器件并且在内部形成有去疵层，其特征在于，朝向器件晶片的背面照射电磁波并且照射激励光而生成过量载流子，根据反射后的电磁波的衰减时间来判断器件晶片中形成的去疵层的去疵性。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||