发明名称 辐射发射组件
摘要 明提供一辐射发射组件。
申请公布号 TWI515928 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW102135998 申请日期 2013.10.04
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 维纳尔 丹尼尔;瓦格那 康拉德
分类号 H01L33/50(2010.01);H01L33/60(2010.01) 主分类号 H01L33/50(2010.01)
代理机构 代理人 王彦评;赖碧宏
主权项 一种辐射发射组件(100),具有:- 至少一辐射发射半导体晶片(1),每一辐射发射半导体晶片(1)都具有一辐射发出面(2),其包含该辐射发射半导体晶片(1)之至少一侧面(3)和一主面(4),- 至少一转换元件(5),每一转换元件(5)都具有一辐射发出面(6),其包含该转换元件(5)之至少一侧面(7)和一主面(8),以及- 一第一反射元件(9),其配置在该至少一转换元件(5)和该至少一辐射发射半导体晶片(1)之后,其中- 全部之辐射发射半导体晶片(1)之辐射发出面(2)之和(sum)对全部之转换元件(5)之辐射发出面(6)之和的比(ratio)大于1,- 该至少一转换元件(5)至少局部地邻接于该至少一辐射发射半导体晶片(1),- 该至少一辐射发射半导体晶片(1)在操作时产生主辐射(10),- 该转换元件(5)将该主辐射(10)转换成二次辐射(20),以及- 该主辐射(10)和该二次辐射(20)只经由该第一反射元件(9)而离开该辐射发射组件(100),该第一反射元件(9)使该主辐射(10)之至少50%都被反射。
地址 德国