具有增强型热能管理之半导体晶粒总成，包含该半导体晶粒总成之半导体装置及其相关方法

摘要

明揭示一种半导体晶粒总成，其包括在一堆叠中之复数个半导体晶粒。另一半导体晶粒邻近该堆叠并且具有一区域，该区域可包括周边延伸越出该堆叠的一相对较高功率密度区域。传导元件在该堆叠中之半导体晶粒与该另一半导体晶粒之间延伸并且电互连该堆叠中之半导体晶粒及该另一半导体晶粒的积体电路。热能柱插入于该堆叠之半导体晶粒之间，并且诸如一盖之一热量耗散结构与该堆叠之一最上晶粒及该另一半导体晶粒之该高功率密度区域接触。亦揭示其他晶粒总成、半导体装置及管理一半导体晶粒总成内之热量传送的方法。

主权项

一种半导体晶粒总成，其包括：一堆叠中之复数个半导体晶粒；传导元件，其等在该堆叠中之半导体晶粒之间、并且互连该堆叠中之半导体晶粒的积体电路；导热结构，其等在该堆叠中之半导体晶粒之间、并且电隔离于该等积体电路；介电材料，其定位于该堆叠中之半导体晶粒之间、并且绕该等传导元件及该等导热结构；另一半导体晶粒定位于该堆叠中之半导体晶粒下面，该另一半导体晶粒包括在该另一半导体晶粒之一周边区内之一相对较高功率密度区域，该相对较高功率密度区域侧向延伸越出该堆叠；及一热量耗散结构，其安置于该堆叠中之复数个半导体晶粒及该另一半导体晶粒上方，该热量耗散结构与该堆叠中之一最上方晶粒热能接触，并且与该另一半导体晶粒之该相对较高功率密度区域热能接触。