发明名称 |
半导体元件及其制造方法,及电子装置 |
摘要 |
明揭示一种半导体元件,其包括:一第一半导体区段,该第一半导体区段在其一侧处包含一第一布线层;一第二半导体区段,该第二半导体区段在其一侧处包含一第二布线层,该第一半导体区段与该第二半导体区段系固定在一起,其中该第一半导体区段与该第二半导体区段之各别第一布线层侧与第二布线层侧彼此面对;一导电材料,其穿过该第一半导体区段延伸至该第二半导体区段之该第二布线层且藉助此导电材料该第一布线层与第二布线层系电连通。
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申请公布号 |
TWI515885 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
申请号 |
TW102134616 |
申请日期 |
2010.11.18 |
申请人 |
新力股份有限公司 |
发明人 |
糸长总一郎;堀池真知子 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种半导体元件,其包括:一第一半导体区段(22),该第一半导体区段包含至少一第一布线层;一第二半导体区段(26),该第二半导体区段包含至少一第二布线层,该第一半导体区段与该第二半导体区段系固定在一起;复数个第一导电材料(68),其穿过该第一半导体区段之元件层延伸至该第一半导体区段之该第一布线层中之一连接点,及复数个第二导电材料(69),其穿越过该第一半导体区段延伸至该第二半导体区段之该第二布线层中之一连接点,其中该等第一导电材料与该等第二导电材料跨该第一半导体区段而在一第一方向上交错地排列,且该等第一导电材料与该等第二导电材料跨该第一半导体区段而在一第二方向上交错地排列,该第一方向与该第二方向彼此正交。
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地址 |
日本 |