烷基－烷氧基矽环化合物及使用其的膜沉积方法

摘要

明提供一种藉由化学气相沉积制造多孔性低k介电膜的方法和组合物。于一态样中，该方法包含以下步骤：将基材提供于反应舱内；将包括含烷基-烷氧基矽环化合物的至少一结构形成前驱物及致孔剂(porogen)的气态试剂引进该反应舱；将能量施加于该反应舱中的气态试剂以引发该等气态试剂于该基材上沉积预备膜的反应，其中该预备膜含有该致孔剂，而且使该预备膜沉积；及从该预备膜移除其中所含的至少一部分致孔剂并且提供具有细孔和2.7或更小的介电常数之膜。在某些具体实施例中，该结构形成前驱物另外包含硬化添加物。

主权项

一种用于制造式SivOwCxHyFz所示的介电膜之方法，其中v+w+x+y+z=100%，v系10至35原子%，w系10至65原子%，x系5至40原子%，y系10至50原子%而且z系0至15原子%，前述方法包含将基材提供于反应舱内；将包括含烷基-烷氧基矽环化合物的至少一结构形成前驱物及致孔剂的气态试剂引进该反应舱；将能量施加于该反应舱中的气态试剂以引发该等气态试剂于该基材上沉积预备膜的反应，其中该预备膜含有该致孔剂；及从该预备膜移除至少一部分致孔剂以提供包含细孔和约2.6或更小的介电常数之多孔性介电膜。