硫化物之化学气相沈积技术

摘要

明系关于一种用于制备电及光学硫族化物材料之化学气相沉积(CVD)制程。在一较佳具体实施例中，本发明之CVD－沉积材料系呈现下列性质中之一或多者：电切换、累积、设定、可逆多状态行为、重定、认知功能及可逆非晶质－晶质变换。在一具体实施例中，包含至少一层含有硫族元素之多层结构系藉由CVD沉积并令其接受沉积后能量之施加以产生一具有根据本发明性质之硫族化物材料。在另一具体实施例中，一具有根据本发明性质之单层硫族化物材料系由CVD沉积制程所形成，其中该CVD沉积制程包含三或多种沉积前驱物，其中至少一者系硫族元素前驱物。较佳材料系这些包含硫族碲(Te)以及锗(Ge)及/或锑(Sb)者。

主权项

一种形成一电切换材料之方法，其包含下列步骤：形成一多层结构，包含：沉积含有一第一化合物之一第一层，该第一化合物包含一硫族元素；沉积含有一第二化合物之一第二层，该第二化合物与该第一化合物不同；以及施加能量来将该多层结构变换成具有一第三化合物之一第三层，该第三化合物与该第一化合物及该第一化合物不同，该第三层包含一相变材料，该相变材料可在一晶相与一非晶相间进行可逆变换；其中该施加能量来转换的步骤包含从该第二层至该第一层的原子转换。