半导体装置

摘要

在IGBT部(21)配置IGBT，在FWD部(22)配置FWD。在IGBT部(21)中，在相邻的沟槽(2)间的台面部，在基板正面沿着沟槽(2)长度方向交替地露出p基区(5-1)与n^-漂移区(1)。在FWD部(22)中，在台面部，在基板正面沿着沟槽(2)长度方向交替地露出p阳极区(5-2)与n^-漂移区(1)，形成n^-漂移区(1)的被夹在p阳极区(5-2)间的部分和与该部分接触的一个p阳极区(5-2)作为一个单元区域的重复结构。在一个单元区域内，p阳极区(5-2)所占的比例(阳极比率)(α)为50％～100％。由此，能够提高将IGBT与FWD内置于同一半导体基板的RC-IGBT的二极管特性。

主权项

一种半导体装置，在成为第一导电型的漂移区的半导体基板上具备设有绝缘栅型双极晶体管的第一元件区域和设有二极管的第二元件区域，其特征在于，具备：多个沟槽，在所述半导体基板的正面从所述第一元件区域到所述第二元件区域上被设置为沿着与所述第一元件区域和所述第二元件区域并排的方向正交的长度方向延伸的条纹状；栅极绝缘膜，沿着所述沟槽的侧壁和底面而设置；栅极，设置在所述沟槽的内部的所述栅极绝缘膜的内侧；第二导电型的基区，选择性地设置于所述第一元件区域的相邻的所述沟槽之间的台面部；第二导电型的阳极区，选择性地设置于所述第二元件区域的相邻的所述沟槽之间的台面部；第一导电型的发射区，选择性地设置于所述基区的内部；第一电极，与所述基区、所述发射区和所述阳极区接触；第二导电型的集电区，在所述第一元件区域中设置于所述半导体基板的背面；第一导电型的阴极区，在所述第二元件区域中设置于所述半导体基板的背面；以及第二电极，与所述集电区和所述阴极区接触；在所述第二元件区域的相邻的所述沟槽之间的台面部，沿着所述沟槽的长度方向交替反复地配置有所述阳极区与所述漂移区，在由所述阳极区以及被该阳极区和该阳极区的在所述沟槽的长度方向上相邻的所述阳极区所夹的部分中的所述漂移区构成的单位区域中，该阳极区所占的比例为50％以上且小于100％。