| 发明名称 |
Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| 摘要 |
<p>Halbleiterbauelement (10) mit wenigstens einer organischen Lochleiterschicht (20), die eine p-Dotierung mit einem Supersäurensalz aufweist, wobei das Supersäurensalz ein Salz einer Supersäure aufweist, wobei die Supersäure eine Säure mit einem Säurekonstantewert pKs kleiner Null ist, wobei das Supersäurensalz ein Triflat aufweist, wobei das Triflat ein Metallsalz der Trifluoromethansulfonsäure ist.</p> |
| 申请公布号 |
DE102011003192(B4) |
申请公布日期 |
2015.12.24 |
| 申请号 |
DE20111003192 |
申请日期 |
2011.01.26 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
SCHMID, GÜNTER;WEMKEN, JAN HAUKE;KELLERMANN, RENATE;MALTENBERGER, ANNA |
| 分类号 |
H01L51/30;H01L51/40 |
主分类号 |
H01L51/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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