| 发明名称 | 自适应功率放大器 | ||
| 摘要 | 各示例性实施例涉及包络跟踪功率放大器(310)。一种设备可以包括处于堆叠配置中的多个晶体管中的第一晶体管(MN)，该第一晶体管被配置成接收随射频(RF)输入信号的包络而变化的电源电压(VDD)。该设备可以进一步包括处于堆叠配置中的该多个晶体管中的第二晶体管(M1)，该第二晶体管耦合至参考电压并且被配置成接收与电源电压(VDD)成反比地变化的动态偏置电压(VG1)。 | ||
| 申请公布号 | CN105191120A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480013041.2 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | J·查;C-H·李;W·金;A·哈德吉克里斯托;Y·赵 |
| 分类号 | H03F1/02(2006.01)I;H03F1/22(2006.01)I;H03F3/24(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I;H03F3/217(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李小芳 |
| 主权项 | 一种设备，包括：处于堆叠配置中的多个晶体管中的第一晶体管，所述第一晶体管被配置成接收随射频(RF)输入信号的包络而变化的电源电压；以及处于所述堆叠配置中的所述多个晶体管中的第二晶体管，所述第二晶体管耦合至参考电压并且被配置成接收与所述电源电压成反比地变化的动态偏置电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||