| 发明名称 | 紫外半导体传感器装置和测量紫外辐射的方法 | ||
| 摘要 | 光电二极管(2)和另一光电二极管(3)被布置在衬底(1)中在主表面(10)处或主表面(10)附近。以这样的方式来形成和布置光电二极管：使得在入射紫外辐射(26)的情况下，来自光电二极管(2)的电信号大于来自另一光电二极管(3)的另一电信号。特别地，第一光电二极管可以比另一光电二极管对紫外辐射更敏感。通过另一电信号来衰减来自该光电二极管的电信号，从而产生主要测量入射紫外辐射的电信号。可以通过内部地使用集成电路(25)或外部地使用单独装置来实现来自第一光电二极管的电信号的衰减。 | ||
| 申请公布号 | CN105190260A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480013024.9 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | ams有限公司 | 发明人 | 尤金·G·迪施克;托德·毕晓普;马里奥·曼宁格 |
| 分类号 | G01J1/42(2006.01)I | 主分类号 | G01J1/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杜诚;陈炜 |
| 主权项 | 一种半导体传感器装置，包括：–半导体衬底(1)，其具有主表面(10)；–光电二极管(2)，其被布置在所述衬底(1)中在所述主表面(10)处或所述主表面(10)附近，所述光电二极管(2)响应于入射辐射(26)而生成电信号，以及–另一光电二极管(3)，其被布置在所述衬底(1)中在所述主表面(10)处或所述主表面(10)附近，所述另一光电二极管(3)响应于所述入射辐射(26)而生成另一电信号，所述半导体传感器装置的特征在于–以这样的方式来形成和布置所述光电二极管(2)和所述另一光电二极管(3):使得在入射紫外辐射的情况下，来自所述光电二极管(2)的所述电信号大于来自所述另一光电二极管(3)的所述另一电信号，以及–通过所述另一电信号来衰减来自所述光电二极管(2)的所述电信号，从而产生主要测量所述入射紫外辐射的电信号。 | ||
| 地址 | 奥地利乌恩特普雷姆斯塔特恩 | ||