| 发明名称 | 附带铁电膜的硅基板 | ||
| 摘要 | 在基板主体(11)上通过溶胶-凝胶法而形成的PZT系的铁电膜(12)中的残余应力为﹣14MPa～﹣31MPa，且铁电膜(12)结晶取向于(100)面。 | ||
| 申请公布号 | CN105190848A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480015888.4 | 申请日期 | 2014.05.01 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 土井利浩;桜井英章;曽山信幸 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L41/318(2006.01)I;H01L41/319(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种附带铁电膜的硅基板，其特征在于，在基板主体上，通过溶胶‑凝胶法而形成的PZT系的铁电膜中的残余应力为﹣14MPa～﹣31MPa，且所述铁电膜结晶取向于(100)面。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||