发明名称 |
金刚石膜的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及金刚石膜的制造方法。本发明提供一种金刚石膜的制造方法,其特征在于,至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序,所述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶,所述单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用,其中,由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序是,通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温,利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜;或者,使用在界面注入离子后,加热层积基板,而利用离子注入层进行分离的离子注入剥离法。 |
申请公布号 |
CN105177705A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201510627462.0 |
申请日期 |
2009.12.11 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
野口仁 |
分类号 |
C30B25/10(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/04(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
金鲜英;何杨 |
主权项 |
一种金刚石膜的制造方法,其特征在于,至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序,所述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶,所述单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用,其中,由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序是,通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温,利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜;或者,使用在界面注入离子后,加热层积基板,而利用离子注入层进行分离的离子注入剥离法。 |
地址 |
日本东京都 |