发明名称 金刚石膜的制造方法
摘要 本发明涉及金刚石膜的制造方法。本发明提供一种金刚石膜的制造方法,其特征在于,至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序,所述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶,所述单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用,其中,由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序是,通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温,利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜;或者,使用在界面注入离子后,加热层积基板,而利用离子注入层进行分离的离子注入剥离法。
申请公布号 CN105177705A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201510627462.0 申请日期 2009.12.11
申请人 信越化学工业株式会社 发明人 野口仁
分类号 C30B25/10(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/04(2006.01)I 主分类号 C30B25/10(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 金鲜英;何杨
主权项 一种金刚石膜的制造方法,其特征在于,至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序,所述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶,所述单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用,其中,由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序是,通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温,利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜;或者,使用在界面注入离子后,加热层积基板,而利用离子注入层进行分离的离子注入剥离法。
地址 日本东京都