具有非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的三栅极晶体管结构

摘要

讨论了涉及具有MOSFET的集成电路的技术、结合有这样的集成电路的系统、以及用于形成它们的方法，所述MOSFET具有非凹陷的场绝缘体和IC的场绝缘体上方的较薄电极。

主权项

一种集成电路器件，包括：设置在衬底的器件区上方的半导体柱状物，所述半导体柱状物具有基底部分和鳍状部分；场绝缘体，所述场绝缘体设置在所述衬底的场区上方并邻近于所述半导体柱状物的所述基底部分；以及栅极电极，所述栅极电极在所述器件区中耦合到所述半导体柱状物的所述鳍状部分并且在所述场区中被设置在所述场绝缘体上方，其中，所述栅极电极具有在所述器件区上方的第一深度以及在所述场区上方的第二深度，所述第二深度小于所述第一深度。