边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中。

主权项

边缘发射的半导体激光二极管（1），具有－具有基体（2a）和π形截面波导（2b）的外延半导体层堆叠（2），其中所述基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c），和－平面化层（3），其中该平面化层（3）嵌入到所述π形截面波导（2b）中，使得所述π形截面波导（2b）的表面（21）和所述平面化层（3）的表面（22）构成平坦的主面（4），其中在所述平面化层（3）和所述半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠（2）的半导体层（2d），所述半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且其中所述平面化层（3）布置在所述沟槽中。