三维集成传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三维集成传感器及其制备方法，包括：提供信号处理电路芯片和传感器芯片,其中，定义信号处理电路芯片中制造有信号处理电路的一面为正面，定义传感器芯片中制造有传感器的一面为正面；在信号处理电路芯片上制造穿透整个芯片厚度的三维互连；在信号处理电路芯片的背面制造凹槽阵列，每个凹槽与传感器芯片上的传感单元位置对应；利用金属凸点键合或高分子层键合，将传感器芯片与信号处理电路芯片集成，其中，传感器芯片正面与信号处理电路芯片的背面相对，传感器与信号处理电路芯片之间通过三维互连实现电学连接。本发明还公开了一种三维集成传感器。本发明的传感器及其制备方法具有集成度高、灵敏可靠的优点。

主权项

一种三维集成传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A.提供信号处理电路芯片和传感器芯片,其中，定义所述信号处理电路芯片中制造有信号处理电路的一面为正面，定义所述传感器芯片中制造有传感器的一面为正面；B.在所述信号处理电路芯片上制造穿透整个芯片厚度的三维互连；C.在所述信号处理电路芯片的背面制造凹槽阵列，每个凹槽与所述传感器芯片上的传感单元位置对应；D.利用金属凸点键合或高分子层键合，将所述传感器芯片与所述信号处理电路芯片集成，其中，所述传感器芯片正面与所述信号处理电路芯片的背面相对，所述传感器与所述信号处理电路芯片之间通过所述三维互连实现电学连接，其中，所述传感器由所述凹槽之间的侧壁支撑，使所述传感器悬空在所述信号处理电路芯片背面的所述凹槽的上方；E.对所述传感器芯片的背面进行减薄或者局部减薄。