发明名称 半导体装置之制造方法
摘要
申请公布号 TWI514482 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW101105129 申请日期 2012.02.16
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 和田荣司
分类号 H01L21/52;H01L21/60;H01L31/0203 主分类号 H01L21/52
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置之制造方法,其特征在于,包括以下制程:制程(a),即准备具有上表面及位于前述上表面相反侧之下表面之布线基板之制程;制程(b),即将具有第1主表面、形成在前述第1主表面上之感测器区域、形成于前述感测器区域上之复数个像素及与前述第1主表面为相反侧之第1背面之感测器晶片,以前述第1背面与前述布线基板之前述上表面相向之方式安装到前述布线基板之前述上表面之制程;制程(c),即在前述感测器晶片之前述第1主表面上之复数个部位配置具有第1黏度之第1黏合材料之制程;制程(d),即在前述制程(c)之后,藉由固化前述第1黏合材料,从而在前述感测器晶片之前述第1主表面上形成复数个具有黏合性且具有比前述第1黏度高之第2黏度之第1隔离层之制程;制程(e),即在前述制程(d)之后,在前述感测器晶片之前述第1主表面上配置糊状之第2黏合材料之制程;制程(f),即在前述制程(e)之后,将具有形成有复数个光学区域之遮光层之第1光学元件隔着前述复数个第1隔离层及前述第2黏合材料而配置到前述感测器晶片之前述第1主表面上之制程;以及制程(g),即在前述制程(f)之后,将前述第2黏合材料进行固化之制程, 其中,在前述制程(f)中,在对前述第1光学元件施加负荷之状态下将前述第1光学元件配置到前述感测器晶片之前述第1主表面上,在前述制程(g)中,在未对前述第1光学元件施加负荷之状态下使前述第2黏合材料固化,在前述制程(f)中,以前述复数个光学区域与前述复数个像素分别重合之方式,隔着前述复数个第1隔离层及前述第2黏合材料,将前述第1光学元件配置到前述感测器晶片之前述第1主表面上,前述光学区域系在前述遮光层上形成有开口部之区域。
地址 日本