发明名称 半导体器件及其制作方法
摘要
申请公布号 TWI514484 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW102120204 申请日期 2013.06.06
申请人 臻鼎科技股份有限公司 发明人 李泰求
分类号 H01L21/58;H01L23/12 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人
主权项 一种半导体器件的制作方法,包括步骤:提供一个承载体,所述承载体具有一个承载面;提供多个中介板,所述多个中介板中的每个中介板均具有一个形成有导电线路的玻璃基底,所述玻璃基底具有第一顶面、与所述第一顶面相对的第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面,并将多个中介板间隔地设置于所述承载面上,使得每个中介板的玻璃基底的第一底面均较相应的第一顶面靠近所述承载面;提供多个晶片,并将所述多个晶片中的每个晶片分别构装于一个对应的所述中介板上;在所述承载体的承载面一侧设置一个封装胶体,所述封装胶体覆盖所述多个晶片、所述多个中介板及从所述多个中介板露出的承载面;移除所述承载体,获得一个封装体;以及切割所述封装体,以获得多个相互分离的半导体器件,所述多个半导体器件中的每个半导体器件均包括一个所述中介板、一个所述晶片及一个保护体,所述保护体为所述封装胶体的一部分,每个保护体均具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。
地址 桃园市大园区三和路28巷6号