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一种用于真空处理装置中确定基片温度的测量方法，其中，待测基片放置于所述真空处理装置中的基片承载台上以进行制程处理，而在没有固定的主动入射光源向待测基片投射光线的环境下进行测量，所述测量方法包括如下步骤：在没有固定的主动入射光源向基片投射光线的环境下，从所述基片承载台透过所述基片所散发的辐射量中选取i个波长，其中，i为大于1的自然数；获得所选取的i个波长对应的至少i个辐射量；基于数学方程式E(λi)=T(d)×M(λi,T)，根据所述i个辐射量和所述i个波长计算得出所述基片温度，其中，λi为第i个波长，T为所述基片的温度，E(λi)为所述第i个波长λi所对应的第i个辐射量，T(d)为所述基片的透射率，其与所述基片上生长的薄膜的薄膜厚度d有关，M(λi，,)为黑体辐射方程，其与所述第i个波长λi和所述基片温度T有关，其中所述基片的透射率由如下关系确定：T(d)=1-R，其中，R为折射率，所述折射率由如下关系确定：R=rr*，其中，r为振幅反射度，r*与r共轭，所述振幅反射度由如下关系确定：其中，n0为所述基片辐射量的传播介质的折射率，Y为等效折射率，所述等效折射率，其中，B和C由如下矩阵确定：其中，η1和η2由如下关系确定：对于p-分量η1=n1/cosθ，η2=n2/cosθ；对于s-分量η1=n1cosθ，η2=n2cosθ，θ为获取辐射量的方向与法线的夹角，δ1由如下关系确定：其中，d1表示位于所述基片最上面一层薄膜的厚度，λi表示从所述辐射量中选取的第i个波长，n1表示位于所述基片最上面一层薄膜的折射率，n2表示所述基片的衬底及其他薄膜层的等效折射率。 |
