发明名称 ECL semiconductor laser
摘要 <p>Przedmiotem wzoru użytkowego jest laser półprzewodnikowy ECL, z transmisyjną siatką dyfrakcyjną, umieszczoną w zewnętrznej wnęce rezonansowej. Laser ten ma półprzewodnikowy wzmacniacz optyczny (1) umieszczony w układzie optycznym tworzącym wraz z zewnętrznym zwierciadłem wnękę rezonansową. W laserze tym, między wzmacniaczem (1) a zewnętrznym zwierciadłem (10) znajduje się transmisyjna siatka dyfrakcyjna (9), przy czym siatka (9) i zwierciadło (10) umieszczone są na obrotowych platformach, a platforma zwierciadła (10) osadzona jest na ruchomej podstawie (11).</p>
申请公布号 PL123464(U1) 申请公布日期 2015.12.21
申请号 PL20080123464U 申请日期 2008.12.09
申请人 INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ 发明人 MROZIEWICZ BOHDAN
分类号 H01S5/10;H01S3/05;H01S5/14 主分类号 H01S5/10
代理机构 代理人
主权项
地址