发明名称 制造一磁性穿隧接面储存元件
摘要
申请公布号 TWI514638 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW100110843 申请日期 2011.03.29
申请人 高通公司 发明人 陈伟泉;康森H
分类号 H01L43/12;H01L43/08 主分类号 H01L43/12
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种磁性穿隧接面(MTJ)储存元件,其包含:一MTJ堆叠,其包括一自由层、一障壁层及一钉紮层;一调整层,其形成于该自由层上,其中该调整层经组态以保护该自由层不受氧灰化及蚀刻副产物之再沈积;一顶部电极,其形成于该调整层上;一分隔层,其囊封该顶部电极之至少一部分、该调整层及该自由层,其中该分隔层包含由一金属材料形成之一内分隔层及一外分隔层;一钝化层,其形成于该分隔层之顶部上,其中该钝化层经组态以增强该分隔层之侧壁之一厚度及在蚀刻期间保护该分隔层;及一保护性覆盖层,其直接形成于该分隔层之侧壁上,其中该顶部电极之至少一部分自该分隔层及该保护性覆盖层曝露。
地址 美国
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