不揮発性記憶装置、およびそのフォーミング方法

摘要

不揮発性記憶装置の制御部は、フォーミング用の電圧パルスを印加する前に各メモリセルごとの抵抗値情報を初期抵抗値情報として読み出して一時記憶し（Ｓ１０２）、初期抵抗値情報に所定の係数を掛けた抵抗値情報をフォーミング完了の目標となる閾値とし（Ｓ１０３）、メモリセルの抵抗値情報が示す抵抗値が閾値が示す抵抗値よりも低くなるまでフォーミング処理用の電圧パルスの印加（Ｓ１０４）と、抵抗値情報の読み出し（Ｓ１０５）とを繰り返す制御を行う。