| 发明名称 | 薄膜场效应晶体管及其制作方法、液晶显示器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜场效应晶体管，其包括：在基板(10)上的栅极金属层(20)；覆盖基板(10)和栅极金属层(20)的栅极绝缘层(30)；在栅极绝缘层(30)上且相互间隔的第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)；在第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)上的有源层(50)；其中，有源层(50)填充第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)之间的间隔，并在间隔处形成沟道(510)；在有源层(50)上的分别位于沟道(510)两侧的第二源极金属层(60a)和第二漏极金属层(60b)；其中，第二源极金属层(60a)和第一源极金属层(40a)接触，第二漏极金属层(60b)和第一漏极金属层(40b)接触。本发明降低了薄膜场效应晶体管中的寄生电容C<sub>gs</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN105161544A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510676895.5 | 申请日期 | 2015.10.16 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 冯托 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 孙伟峰;武岑飞 |
| 主权项 | 一种薄膜场效应晶体管，其特征在于，包括：在基板(10)上的栅极金属层(20)；覆盖所述基板(10)和所述栅极金属层(20)的栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上且相互间隔的第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)；在所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)上的有源层(50)；其中，所述有源层(50)填充所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)之间的间隔，并在所述间隔的所在位置处形成沟道(510)；在所述有源层(50)上的分别位于所述沟道(510)两侧的第二源极金属层(60a)和第二漏极金属层(60b)；其中，所述第二源极金属层(60a)和所述第一源极金属层(40a)接触，所述第二漏极金属层(60b)和所述第一漏极金属层(40b)接触。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||