| 发明名称 |
光电转换装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种光电转换装置及其简单、低成本的制造方法，该装置包括衬底、金属背电极层、过渡层、光吸收层、缓冲层1、缓冲层2、透明导电层、集电栅和/或减反射膜层；光吸收层中的铜(Cu)铟(In)镓(Ga)硒(Se<sub>2</sub>)或硫化物(S<sub>2</sub>)的原子百分配比为CuIn分比为0-20％的钠和/或钙元素或含钠和/或钙元素的化合物。该装置具有结构简单，光的转换效率高、稳定性好，无污染等优点。 |
| 申请公布号 |
CN100592536C |
申请公布日期 |
2010.02.24 |
| 申请号 |
CN200610130562.3 |
申请日期 |
2006.12.25 |
| 申请人 |
刘津平 |
发明人 |
刘津平 |
| 分类号 |
H01L31/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1、一种光电转换装置，该装置包括衬底、金属背电极层、过渡层、光吸收层、n型缓冲层1、缓冲层2、透明导电层、集电栅和减反射膜层，其特征在于：所述的光吸收层中的铜(Cu)铟(In)镓(Ga)硒(Se2)或硫化物(S2)的原子百分配比为CuIn1-xGax(Se2或S2)，其中0.1＜x＜0.34；金属背电极层、过渡层和/或光吸收层中混有重量百分比为0-20％的钠和/或钙元素或含钠和/或钙元素的化合物。 |
| 地址 |
300222天津市河西区大沽南路1169号 |
