| 发明名称 | 一种等离子腔室及其温度控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子腔室及其温度控制方法，所述等离子腔室包括：下腔体，所述下腔体上面的上腔体，下腔体底部的基片支承装置和设于上腔体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔。本发明公开的等离子腔室的上腔体内设有控温模块，该控温模块可以单独控制覆盖于上腔体侧壁上的介质窗的温度，使介质窗的温度能够达到并稳定在设定温度，并配合等离子腔室的下腔体和基片支承装置的温度控制，能够保证等离子加工工艺的稳定性和准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN101656194A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200810118767.9 | 申请日期 | 2008.08.21 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 彭宇霖 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种等离子腔室，其特征在于，包括：下腔体，位于下腔体上面的上腔体，位于下腔体底部的基片支承装置和位于上腔体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路一号M5座2楼 | ||