发明名称 |
曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器 |
摘要 |
一种曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器,属于测量技术领域。本发明包括:带SiO<sub>2</sub>层的硅衬底、软磁多层膜和引脚,其中:软磁多层膜位于带SiO<sub>2</sub>层的硅衬底上,引脚的一端与软磁多层膜固定连接,另一端固定于带有SiO<sub>2</sub>层的硅衬底上,软磁多层膜为方波形的曲折多匝结构,其匝数为10匝,匝间距离为60μm,峰-峰值为5mm,所述引脚的个数为21个。本发明测量参数可调、磁场灵敏高度、阻抗变化率大、可应用于大面积非均匀磁场的探测。 |
申请公布号 |
CN101644748A |
申请公布日期 |
2010.02.10 |
申请号 |
CN200910307531.4 |
申请日期 |
2009.09.23 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
周志敏;周勇;陈磊;雷冲;丁文 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1.一种曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器,包括:带SiO2层的硅衬底、软磁多层膜和引脚,其中:软磁多层膜为方波形的曲折多匝结构,并位于带SiO2层的硅衬底上,引脚的一端与软磁多层膜固定连接,另一端固定于带有SiO2层的硅衬底上,其特征在于,软磁多层膜的匝数为10匝,匝间距离为60μm,峰-峰值为5mm,引脚的个数为21个。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |