原位合成制备化合物芯片的方法、制备载体及发光基底

摘要

本发明公开了一种原位合成制备化合物芯片的方法，首先在基底上制备紫外LED发光阵列，所述发光阵列分布与待合成化合物的预设点位一致；然后对紫外LED发光阵列或者其它芯片材料进行表面修饰，在其上表面形成一层活性基团，并连接带有光脱保护基团的化合物单体；再根据待合成的化合物中同种单体的分布情况，控制相应的紫外LED发光，脱去对应表面连接单体的光脱保护基团，停止发光，使需要连接的带有光脱保护基团的单体与芯片表面接触，和已脱去保护的单体反应连接；重复上述步骤，合成出所需长度的化合物，获得化合物芯片。本发明不需要光掩膜板，也不需要在超净间中操作，大幅度地降低了成本；适合于光刻法或光致酸技术的原位反应。

主权项

1.一种原位合成制备化合物芯片的方法，包括下列步骤：(1)在基底上制备紫外LED发光阵列，所述发光阵列分布与待合成化合物的预设点位一致；(2)对紫外LED发光阵列进行表面修饰，在其上表面形成一层活性基团，并连接带有光脱保护基团的化合物单体；(3)根据待合成的化合物芯片中同种单体的分布情况，控制相应的紫外LED发光，脱去对应表面连接单体的光脱保护基团，停止发光，使需要连接的带有光脱保护基团的单体与芯片表面接触，和已脱去保护的单体反应连接；(4)根据所需连接单体的分布情况，重复步骤(3)，实现该层各种单体的连接；(5)根据待合成的化合物序列，重复步骤(3)、(4)，合成出所需长度的化合物，获得化合物芯片；所述步骤(2)中的表面修饰是，紫外LED发光芯片上表面为二氧化硅层，采用带有活性基团的硅烷与所述二氧化硅反应使在其上表面形成一层活性基团；所述光脱保护基团选自2-硝基苯基异丙基氧基羰基、甲烯二氧基六硝基苯基一乙基氯甲酸、或3，4硝基二甲氧苯甲基氧基羰基。