| 发明名称 | 一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路制造中防止光致抗蚀剂(photo resist)在新鲜高温氧化表面(high-temperature oxidation，HTO)发生翘曲的前处理方法。本发明的方法包括如下步骤：提供待加工晶圆；加热晶圆使晶元表面形成高温氧化表面(HTO)；将晶圆在水中进行浸泡；烘干晶圆；使用甲基二硅胺(HMDS)对晶圆表面进行处理；涂布光致抗蚀剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101635258A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200910052796.4 | 申请日期 | 2009.06.09 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李黎明;郭国超;王健鹏 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1.一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法，其包括如下步骤：提供待加工晶圆；加热晶元使晶圆表面形成高温氧化表面；使用甲基二硅胺对晶圆表面进行处理；涂布光致抗蚀剂，其特征在于：在加热晶圆形成高温氧化表面后将晶圆在水中进行浸泡并且烘干晶元。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||