| 发明名称 | 高k栅介质材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高k栅介质材料及其制备方法，属于半导体技术领域，尤其涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的应用领域，这种高k栅介质材料为氧化铒-氧化铝(Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，ErAlO)复合材料，采用射频磁控溅射制备方法，溅射靶为Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合陶瓷靶，在P型Si(100)衬底上制备得到ErAlO非晶栅介质复合氧化物薄膜，经检测，本发明的ErAlO薄膜具有良好的热稳定性、良好的平整度和低的漏电流密度，可取代SiO<sub>2</sub>成为一种新型高k栅介质材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101635308A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200910102013.9 | 申请日期 | 2009.08.27 |
| 申请人 | 绍兴文理学院 | 发明人 | 方泽波;陈伟 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 绍兴市越兴专利事务所 | 代理人 | 方剑宏 |
| 主权项 | 1、一种高k栅介质材料，其化学组成为：(Er2O3)1-x(Al2O3)x，0＜x＜1。 | ||
| 地址 | 312000浙江省绍兴市越城区环城西路508号绍兴文理学院 | ||