半导体电容器及其制备方法

摘要

一种电容器，其可防止半导体器件中的由金属-绝缘体-金属(MIM)电容器中包括的绝缘膜和上金属膜的厚度引起的在MIM电容器区域和其周边区域之间的阶梯覆盖问题。半导体器件中的电容器包括在半导体基板之上的配备了具有预定深度的凹槽的第一金属膜。可在凹槽中以对应凹槽深度的厚度形成绝缘膜和第二金属膜。绝缘膜和第二金属膜与凹槽的内部横向侧壁分开。包括多个插栓的介电层与第一和第二金属膜及绝缘膜接触。在介电层之上多个金属电极与插栓接触。

主权项

1.一种半导体电容器，包括：在半导体基板之上的配备了具有预定深度的凹槽的第一金属膜；在所述凹槽中形成的绝缘膜和第二金属膜，所述绝缘膜和第二金属膜的总厚度对应于所述凹槽的深度，其中所述绝缘膜和金属膜与凹槽的内部侧壁分开，所述第二金属膜的上表面与所述第一金属膜的上表面高度相同；在所述第一金属膜、所述绝缘膜和所述第二金属膜之上的包括多个插栓的介电层，其中所述插栓与所述第一金属膜及所述第二金属膜接触；以及在所述介电层上的与所述插栓接触的多个金属电极。