发明名称 掺铒七钼酸四钆锂激光晶体及其制备方法
摘要 掺铒七钼酸四钆锂激光晶体及其制备方法,涉及人工晶体领域。采用提拉法,生长温度1080℃,提升速度为0.5~2.0毫米/小时,晶体转速为10~30转/分钟。生长出了高光学质量、较大尺寸的Er<sup>3+</sup>∶Li<sub>2</sub>Gd<sub>4</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>7</sub>晶体。该晶体属四方晶系,光谱分析表明,该晶体具有宽的吸收峰和强的荧光发射峰,适合于采用LD泵浦,可作为激光晶体,产生550nm和1500nm左右波长的激光输出。
申请公布号 CN101457402A 申请公布日期 2009.06.17
申请号 CN200710009979.9 申请日期 2007.12.11
申请人 中国科学院福建物质结构研究所 发明人 王国富;赵旺;林州斌;张莉珍
分类号 C30B29/32(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I 主分类号 C30B29/32(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种掺铒七钼酸四钆锂激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Er<sup>3+</sup>:Li<sub>2</sub>Gd<sub>4</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>7</sub>,属于四方晶系,晶胞参数为<img file="A200710009979C00021.GIF" wi="570" he="51" /><img file="A200710009979C00022.GIF" wi="311" he="55" />D<sub>c</sub>=5.49g/cm<sup>3</sup>,该晶体中Er<sup>3+</sup>离子作为激光激活离子,其掺杂浓度在0.5at.-10at.%之间。
地址 350002福建省福州市杨桥西路155号