| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件及其制造方法通过增加单元区域来提高集成度，同时通过采用叠层结构来形成单元区域与核心区域来确保器件的可靠性以及工序裕量。 | ||
| 申请公布号 | CN101459175A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200810126686.3 | 申请日期 | 2008.06.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 黄允泽;林宽容 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：单元阵列单位，其形成在第一半导体材料上；核心电路单位，其形成在位于单元阵列之上的第二半导体材料上；以及介电层，其将所述单元阵列单位与所述核心电路单位隔开。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||