非易失性存储器电路及其制造方法与操作非易失性存储器单元虚拟接地阵列的方法

摘要

本发明的多种实施例解决有效读取非易失性存储器的问题。本发明的非易失性存储器电路、方法及制造方法的实施例是关于非易失性存储器单元的虚拟接地阵列。利用预充电多个非易失性存储器单元的漏极及测量产生的电流，可读取该非易失性存储器单元的虚拟接地阵列。利用读取多个单元可以改善功率消耗及读取裕度，可避免预充电不必要的位线。

主权项

1、一种非易失性存储器电路，包含：虚拟接地阵列，包含排列成多个行及多个列的多个非易失性存储器单元，每个该非易失性存储器单元包含：栅极、第一载流端以及第二载流端；切换电路，该切换电路将该非易失性存储器单元的该第一载流端耦合于参考电位并且将该非易失性存储器单元的该第二载流端耦合于感测放大器与预充电电位；以及控制逻辑电路，该控制逻辑电路在响应读取指令时，控制该切换电路及该虚拟接地阵列，并将该参考电位提供给该虚拟接地阵列中的第一及第二非易失性存储器单元的该第一载流端，和将该预充电电位提供该第一及该第二非易失性存储器单元的该第二载流端，以降低与该读取指令相关的漏电流；以及感测放大器，测量流经该虚拟接地阵列中的该第一及该第二非易失性存储器单元的电流，以响应该读取指令。