| 发明名称 | 具有反射层的三结太阳电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有反射层的三结太阳电池及其制造方法。在P-Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(DBR)的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层(DBR)是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。此结构可以减少电池的厚度，减小非平衡载流子的自由程，提高光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101388419A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810072025.7 | 申请日期 | 2008.10.27 |
| 申请人 | 厦门乾照光电有限公司 | 发明人 | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 |
| 分类号 | H01L31/052(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/052(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李 宁 |
| 主权项 | 1、具有反射层的三结太阳电池，其特征在于：在P-Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。 | ||
| 地址 | 361000福建省厦门市火炬高新区创业大厦108A | ||