| 发明名称 | 氧化铜纳米管阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | 氧化铜纳米管阵列的制备方法，其特征是首先以氢氧化钠、过硫酸铵和铜箔为原料，以水为溶剂，于0-30℃下反应，制备出氢氧化铜纳米管阵列；进而以氢氧化铜纳米管阵列为前驱体，通过在惰性气氛保护下或是在真空状态中加热获得氧化铜纳米管阵列。本发明方法简单、条件温和、成本低廉、可大面积生产出粗细均匀、整齐有序的CuO纳米管结构阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN100469685C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200610037649.6 | 申请日期 | 2006.01.09 |
| 申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 张卫新;杨则恒;丁筛霞;杨世和 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I;C01G3/02(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人 | 何梅生 |
| 主权项 | 1、氧化铜纳米管阵列的制备方法，其特征是按如下步骤进行：a、以氢氧化钠、过硫酸铵和铜箔为原料，以水为溶剂，于0-30℃下反应制备氢氧化铜(Cu(OH)2)纳米管阵列； | ||
| 地址 | 230009安徽省合肥市屯溪路193号 | ||