杂质掺入方法、杂质掺入系统及利用它们形成的电子器件

摘要

本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。

主权项

1. 一种杂质掺入方法，包括步骤：将杂质掺入到固态基体的表面中；测量所述杂质被掺入其中的区域的光学特性；基于测量结果选择退火条件从而满足所述杂质被掺入其中的所述区域的所述光学特性；以及基于所述选定的退火条件，退火所述杂质被掺入其中的所述区域，其中掺入所述杂质的步骤包括等离子体掺杂步骤，在监控所述杂质被掺入的该区域的光学常数时，控制等离子体掺杂条件使得该光学常数满足该等离子体掺杂步骤之后进行的光照射。