| 发明名称 | 降低存储器在自我刷新模式中的电流的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是揭露一种降低一存储器在自我刷新模式中的电流的方法，该存储器包含有一字元线驱动电路，该字元线驱动电路包含有一晶体管，该晶体管包含有一控制端、一第一端耦接于一字元线与一第二端，该方法包含有：在该存储器进入该自我刷新模式之后：于一自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于一第一数值；以及于一非自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的一第二数值。 | ||
| 申请公布号 | CN101377951A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810149369.3 | 申请日期 | 2008.09.23 |
| 申请人 | 钰创科技股份有限公司 | 发明人 | 袁德铭 |
| 分类号 | G11C11/4063(2006.01) | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 主权项 | 1.一种降低存储器在自我刷新模式中的电流的方法，该存储器包含有一字元线驱动电路，该字元线驱动电路包含有一晶体管，该晶体管包含有一控制端、一第一端以及一耦接于一字元线的第二端，该方法包括以下步骤：在该存储器进入该自我刷新模式之后：在自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于一第一数值；以及于一非自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的一第二数值。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||