| 发明名称 | 用于制造半导体设备的方法和用于检查半导体的装置 | ||
| 摘要 | 根据本发明，在用于制造半导体设备的方法和用于检查半导体的装置中，如图2中的流程图所示，在激光处理步骤13中，在从已经经历过SPC步骤12的基板中抽取出的监控基板的不同位置上，以不同的激光功率执行激光处理，以便在基板的整个区域上形成多晶硅膜。此后，在最佳功率检查/抽取步骤14中，在检查设备上检查以变化的膜质量形成在监控基板上的多晶硅膜以便确定最佳激光功率。然后，在激光处理步骤13中，采用最佳激光功率的激光照射已经经历过SPC步骤12的后续基板的表面。因而，在基板的整个区域上形成高质量的多晶硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100466180C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200580006864.3 | 申请日期 | 2005.03.02 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 田草康伸 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/268(2006.01) |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体设备的方法，所述方法包括：膜形成步骤，用于在基板上形成非晶硅膜；预处理步骤，其以一个或多个步骤执行，用于将所述非晶硅膜改性以预备将所述非晶硅膜制成多晶；以及激光处理步骤，用于在通过所述预处理步骤改性的所述非晶硅膜上执行激光处理来生产多晶硅膜，其中，所述方法还包括激光功率检查/抽取步骤，用于使用已经经历过所述预处理步骤的所述非晶硅膜来检测异物或预处理步骤缺陷，并基于在预定区域上执行的预定检查来确定激光功率，并且其中，所述激光处理步骤使用在所述激光功率检查/抽取步骤中确定的所述激光功率。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||