发明名称 |
顶出光电极及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其中,有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层,所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100%至0%。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10<SUP>-5</SUP>托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属的浓度梯度层,并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料,可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素,方法简单实用,与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比,本发明电极发光效率提高6-8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄膜和半导体发光,以及光电器件和光探测器等方面。 |
申请公布号 |
CN100456516C |
申请公布日期 |
2009.01.28 |
申请号 |
CN200510077057.2 |
申请日期 |
2005.06.15 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
冉广照;马国立;秦国刚;乔永平;徐爱国 |
分类号 |
H01L51/10(2006.01);H01L51/40(2006.01);H01L33/00(2006.01);H05B33/26(2006.01);H05B33/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/10(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
1、顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其特征在于:所述有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层,所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度由100%逐渐递减至0%。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |