| 发明名称 | 垂直磁记录介质以及磁记录装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种垂直磁记录介质以及磁记录装置。根据一个实施例，一种垂直磁记录介质包括：基底(1)；以及形成在所述基底(1)上的第一磁性层(5)和第二磁性层(7)，其中假定对于所述第一和第二磁性层(5，7)，单轴磁各向异性常数分别是Ku<SUB>1</SUB>和Ku<SUB>2</SUB>，饱和磁化分别是Ms<SUB>1</SUB>和Ms<SUB>2</SUB>，各向异性磁场分别是Hk<SUB>1</SUB>和Hk<SUB>2</SUB>，以及厚度分别是t<SUB>1</SUB>和t<SUB>2</SUB>，则满足以下条件：Ku<SUB>1</SUB>和Ku<SUB>2</SUB>为3×10<SUP>6</SUP>erg/cc以上，Ms<SUB>1</SUB>小于Ms<SUB>2</SUB>，Hk<SUB>1</SUB>大于Hk<SUB>2</SUB>，并且t<SUB>1</SUB>大于t<SUB>2</SUB>。 | ||
| 申请公布号 | CN101339775A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810131980.3 | 申请日期 | 2008.07.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 及川壮一;前田知幸 |
| 分类号 | G11B5/65(2006.01);G11B5/673(2006.01);G11B5/667(2006.01);G11B5/738(2006.01) | 主分类号 | G11B5/65(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种垂直磁记录介质，其特征在于包括：基底(1)；以及形成在所述基底(1)上的第一磁性层(5)和第二磁性层(7)，其中假定对于所述第一和第二磁性层(5，7)，单轴磁各向异性常数分别是Ku1和Ku2，饱和磁化分别是Ms1和Ms2，各向异性磁场分别是Hk1 和Hk2，以及厚度分别是t1和t2，则满足以下条件：Ku1和Ku2为3×106erg/cc以上，Ms1小于Ms2，Hk1大于Hk2，并且t1大于t2。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||