| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有更高应力耐性的密封环构造的半导体器件。其具有：包括多个半导体元件的半导体层、设置在半导体层之上的绝缘膜、贯通绝缘膜并包围整个半导体元件的筒状体，筒状体具有：在其周向分别相互分离并且平行的多个筒状插塞、与各筒状插塞相交叉的多个壁部。 | ||
| 申请公布号 | CN101339924A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810097711.X | 申请日期 | 2008.05.20 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 时藤俊一 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;李伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具有：包括多个半导体元件的半导体层、设置在上述半导体层上的绝缘膜、贯通上述绝缘膜并且包围整个上述半导体元件的筒状体，其特征在于，上述筒状体具有：在其周向分别相互分离并且平行的多个筒状插塞、以及与各上述筒状插塞交叉的多个壁部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||