镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法

摘要

一种用于复合材料技术领域的镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法。具体步骤如下：选用碳化硅颗粒，在其表面通过化学镀覆工艺沉积一薄层铜涂层；复合材料中增强体颗粒的体积百分含量5-30％，折算出所需涂层碳化硅颗粒的重量和所需原料镁粉的重量；将所需量的涂层碳化硅颗粒、镁粉及玛瑙球加入到混料机中进行混合2～48小时；把混合均匀的粉末放入模具中，在室温下压制成块；将压制的块体于真空炉中进行烧结；将烧结后的块体再进行热挤压，面积压缩比为10∶1。本发明制备出了增强相颗粒分布均匀、界面结合良好、而且兼具良好力学性能和阻尼性能的镁基复合材料，为制备结构功能一体化的镁基复合材料开辟了一条新的途径，进一步拓展了其应用领域。

主权项

1、一种镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)选用不同尺寸的化学镀铜碳化硅颗粒和纯镁粉或镁合金粉复合制备镁基复合材料，应满足基体为纯镁粉或镁合金粉体积百分比70％-95％与含化学镀铜层的碳化硅颗粒5％-30％的体积百分比混合制得；(2)步骤(1)所述化学镀铜层为通过化学镀铜在碳化硅颗粒表面沉积的一层铜涂层，铜的重量百分比占含化学镀铜层碳化硅颗粒总重量的10％～50％，碳化硅颗粒的重量百分比为50％～90％；(3)将化学镀铜碳化硅颗粒、镁粉及玛瑙球按球料重量比为3∶1的比例加入到混料机中进行混合2～48小时，其中，混料机转速为30～60r/min；(4)把混合均匀的粉末放入模具中，在室温下压制成块，压制块的致密度约为70％～90％；(5)将压制的块体于真空炉中进行烧结，烧结温度为400℃～550℃，烧结时间1～4小时，真空度为1×10-3Pa以上；(6)将烧结后的块体再进行热挤压，挤压温度为350℃，面积压缩比为10∶1，获得镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料。