| 发明名称 | 一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜，包括La<SUB>0.67</SUB>Ca<SUB>0.33</SUB>MnO<SUB>3</SUB>外延膜和NdGaO<SUB>3</SUB>单晶基片，其特征在于：在边长为3－5mm，厚度为0.3－0.5mm的(001)取向NdGaO<SUB>3</SUB>单晶基片上是一层厚度为4－70nm的La<SUB>0.67</SUB>Ca<SUB>0.33</SUB>MnO<SUB>3</SUB>外延膜；其制备方法包括以下几个步骤：(1)选用传统固相反应法制备出的La<SUB>0.67</SUB>Ca<SUB>0.33</SUB>MnO<SUB>3</SUB>多晶做靶材；(2)选择单晶基片NdGaO<SUB>3</SUB>；(3)利用激光脉冲沉积系统在NdGaO<SUB>3</SUB>单晶基片上面生长外延的La<SUB>0.67</SUB>Ca<SUB>0.33</SUB>MnO<SUB>3</SUB>薄膜；(4)将原位制得的La<SUB>0.67</SUB>Ca<SUB>0.33</SUB>MnO<SUB>3</SUB>/NdGaO<SUB>3</SUB>置于管式炉中进行退火处理；本发明所述外延膜从低场磁致电阻和温度的敏感性方面，都适合自旋电子器件的实际应用；且本发明所采用的制备方法第一次实现了通过选择NdGaO<SUB>3</SUB>单晶基片的方向，来实现对薄膜的剪切应力控制，从而实现了对低场超大磁致电阻锰氧化物薄膜材料物理性能的人工调控。 | ||
| 申请公布号 | CN101328611A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810117615.7 | 申请日期 | 2008.08.01 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 高关胤;吴文彬 |
| 分类号 | C30B29/24(2006.01);C30B23/02(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | C30B29/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 李新华;成金玉 |
| 主权项 | 1、一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜，包括La0.67Ca0.33MnO3外延膜(1)和NdGaO3单晶基片(2)，其特征在于：在边长为3-5mm，厚度为0.3-0.5mm的(001)取向NdGaO3单晶基片(2)上是一层厚度为4-70nm的La0.67Ca0.33MnO3外延膜(1)。 | ||
| 地址 | 230026安徽省合肥市金寨路96号 | ||